，鎧俠的 NAND 研究人員去年展示了一種 Hepta 級(jí)別的 NAND 閃存概念，每個(gè)單元(Cell)可以最多容納 7 bits，可以讓 QLC NAND 存儲(chǔ)容量翻倍。

如果鎧俠能夠在室溫下穩(wěn)定這種存儲(chǔ)架構(gòu)，它可能會(huì)成為消費(fèi)者和企業(yè)應(yīng)用場景下機(jī)械硬盤的最終替代者。

IT之家從報(bào)道中獲悉，鎧俠為了創(chuàng)建 7 bits / cell 的 NAND，結(jié)合全新的硅處理工藝和散熱技術(shù)來增加 cell 的密度。新的硅工藝技術(shù)用單晶硅取代了當(dāng)前的多晶硅材料，最多可減少三分之二的 NAND 閃存讀取噪聲量，產(chǎn)生更清晰的讀取信號(hào)。

Kioxia 表示，這種新的存儲(chǔ)架構(gòu)的生產(chǎn)成本也將大大降低，甚至提出了一種將 Hepta 級(jí)別閃存與低溫冷卻相結(jié)合的解決方案。這將比當(dāng)今市場上現(xiàn)有的SSD 便宜。