在3nm節點，三星搶先TSMC半年量產，推出GAA晶體管技術不過除了一家做礦機芯片試水的中國公司，大型半導體廠商還在觀望，沒人確定用三星的3nm

三星稱，3nm GAE工藝目前已經量產，可以降低功耗45%，縮小面積16%，提升性能23%。

第二代3nm GAP工藝，功耗降低50%，性能提升30%，面積減少35%，效果更好不過要到2024年才能量產，還有兩年時間

這樣的指標很吸引人如果三星能量產，沒有廠商就不用了畢竟TSMC 3nm不僅量產時間晚，價格也高優先考慮蘋果也導致其他廠商前期排名不上

可是，事實并非如此三星的3nm不是公司趕的，只能說明有一些問題，就是良品率低，根本無法量產據報道，3nm的良率只有20%，這意味著80%的晶圓將被浪費

三星3nm工藝的代工價格不確定TSMC在這里的傳言是2萬美元，約合14萬人民幣三星的代工就算打折估計也要10萬人民幣如果把20%的良品率用于生產，芯片成本會增加幾倍甚至更多，沒有競爭力

正因為如此，三星最近與美國Silicon Frontline公司達成了合作協議雙方合作已經有一段時間了，成果會在3nm工藝上體現出來

硅前線的技術可以減少晶圓加工中的缺陷，也就是說，提高芯片的良率兩家公司對彼此的技術合作感到滿意，但沒有相應的數據公布產量提高了多少