據(jù)國外媒體報(bào)道，美國賓夕法尼亞州立大學(xué)和麻省理工學(xué)院(MIT)合作制造了一種新型半導(dǎo)體硒化錫(SnSe)。這種半導(dǎo)體只有幾個(gè)原子厚，并以一種不尋常的方式與光相互作用。與目前的電子產(chǎn)品相比，這種新的半導(dǎo)體可以降低新的計(jì)算和通信技術(shù)所需的功耗。
硒化錫是由錫和硒以1:1的比例組成的二元化合物。這種新的半導(dǎo)體將有助于開發(fā)被稱為“光子學(xué)”的新電子設(shè)備。傳統(tǒng)電子學(xué)使用電子來存儲(chǔ)、操縱和傳輸信息，而這種電子設(shè)備使用光粒子或光子。這種材料與光具有特殊的相互作用，這使得它在電子產(chǎn)品中具有巨大的應(yīng)用潛力。
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